FDB44N25TM 与 IPB600N25N3 G 区别
| 型号 | FDB44N25TM | IPB600N25N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDB44N25TM | A-IPB600N25N3 G |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 250 V 0.069 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet - D2PAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 9.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 51mΩ |
| 上升时间 | - | 10ns |
| 漏源极电压Vds | - | 250V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 136W |
| Qg-栅极电荷 | - | 29nC |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 24S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 22ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | - |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 25A |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 长度 | - | 10mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 8ns |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2350pF @ 100V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 90µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 29nC @ 10V |
| 高度 | - | 4.4mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDB44N25TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF540NSPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 33A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF540NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 33A(Tc) ±20V 130W(Tc) 44mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF540NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 33A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPB600N25N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 250V 25A 51mΩ 20V 136W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUM45N25-58-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 45A(Tc) ±30V 3.75W(Ta),375W(Tc) 58m Ohms@20A,10V -55°C~175°C(TJ) 250V 45A TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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